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资讯内涵

    硅晶体结构及平面研磨对Pb1-xGexTe(x=0)薄膜性能的影响

        硅晶结构是研究硅片表面处理的根本,硅晶体的结构和平面研磨机的表面去除原理一致,不相违背大家才能很好的做出硅晶表面效果。深圳澳门巴黎人在生产平面研磨机的同时,仔细研究了各种材质本身的机理结构,把握了这些材料的特质,这就是之所以我司能制造出高端平面研磨机的关键。以下是我司了解的硅晶的根本情况,以用于研究平面研磨机对他的加工效果。
        传统的PVD法在硅基板(Ф10mm×0. 8mm)上沉积了Pb1-xGexTe薄膜,组分x=0(即为PbTe薄膜).沉积条件为:本底压强为2. 6×10-3Pa,基板温度为(160±2. 0)℃,蒸发速率为1~5nm/s,沉积的薄膜厚度为2. 10μm.为了研究抛光对薄膜性能的影响,抛光前对薄膜实行了透射、结构、组分及其深度分布的表征.采用机械抛光(CaF2)对薄膜表面实行处理,使薄膜的厚度减薄到1. 98μm,然后再实行透射、结构、组分及其深度分布的表征.使用二次电子显微成像(secondary electron mi-croscope)技术表征薄膜的表面形貌,抛光前后的结果示.由此可见,抛光前,薄膜晶粒大小为200nm,晶粒分布是均匀、致密的;抛光后,原先的晶粒界面已抛平,晶粒已不明显.晶体结构用X射线衍射仪测定薄膜的晶体结构(D/max2550V型X射线衍射仪,使用CuKα辐射,角分辨率为0. 02),抛光前后薄膜的X射线衍射谱.可见,当x=0时,薄膜为PbTe多晶,具有NaCl型的晶体结构,其晶格常数为a=(6. 455±0. 015) .除硅基板的对应谱线外,未测到其它的谱图7 Pb1-xGexTe(x=0)薄膜中主元素(实线Pb,虚线Te)的深度分布(a)抛光前(b)抛光后Fig. 7 Surface depth profile of elements in the Pb1-xGexTe(x=0)film (a)as-deposited (b)after polishing线.对比可见,抛光后薄膜的晶体结构并未改变.
    薄膜组分及深度分布
       用扫描电镜(Hitachi S-520型)配备的能量散射x-ray剖析仪( energy-dispersive analysis by X-ray-EDXA)测定薄膜的组分,其元素探测的灵敏度为0. 1w.t%.对x=0的Pb1-xGexTe薄膜,抛光前后的组分是一致的, Pb和Te的原子浓度百分比分别为(47. 97±0. 51)%和(52. 03±0. 80)%,未检测到其它元素.亦未测到氧的信号,可推断薄膜的表面未形成Pb或Te的氧化物.用俄歇微探针(Microlab 301F型热场发射扫描)测量薄膜表面主元素深度分布,其精度为1mo.l%,离子枪刻蚀能量为3keV.测试结果表明,薄膜表面170nm深度范围内,组分分布根本均匀,分布趋势根本一致.
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